推动国产光芯片成本大降，我国成功开发6英寸InP激光器与探测器外延工艺！
8月19日消息，湖北九峰山实验室今日官宣，该实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。
8月19日消息，湖北九峰山实验室今日官宣，该实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。